Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электроникесборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 1989 Влияние водорода на процессы дефектообразования в a-Si:H
  • Казанский А.Г., Миличевич Е.П.
  • в сборнике Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике, место издания г. Одесса, тезисы, с. 8-8
• • 1989 Деградационные процессы в пленках аморфной аморфной двуокиси кремния
  • Козлов С.Н.
  • в сборнике Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике, место издания г. Одесса, тезисы, с. 58-58
• • 1989 Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
  • Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
  • в сборнике Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике, место издания г. Одесса, тезисы, с. 64-64
• • 1989 Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
  • Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
  • в сборнике Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике, место издания г. Одесса, тезисы, с. 64