Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors
сборник
Год издания:
2001
Том:
1
Место издания:
Osaka, Japan
Сборник тезисов
Добавил в систему:
Румянцева Марина Николаевна
Статьи, опубликованные в сборнике
2001
Effect of gas absorbtion on the interfacial states at n-SnO2/p-Si heterojunction
Vasiliev R.B.
,
Gaskov A.M.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
в сборнике
Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors
, место издания
Osaka, Japan
, том 1, тезисы, с. 333-334