Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Practical aspects of computational chemistry IV
сборник
Год издания:
2016
Коллективная монография
Издательство:
Springer US
Местоположение издательства:
New York, United States
Добавил в систему:
Рыбаков Андрей Александрович
Статьи, опубликованные в сборнике
2016
Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of Al2O3
Rybakov A.A.
,
Larin A.V.
,
Vercauteren D.P.
,
Zhidomirov G.M.
в сборнике
Practical aspects of computational chemistry IV
, издательство
Springer US
(New York, United States)
, с. 303-351
DOI