ИСТИНА

• Охват: Всероссийская
• Даты проведения: 3 декабря 2019
• Место проведения: Москва, Russia
• Организатор:
  МИРЭА
• Число участников: 30
• Число участников из МГУ: 1
• Число докладчиков: 3
• Добавил в систему: Алтухов Алексей Валерьевич

Доклады:

• 2019 Разработка GaN оптоэлектронных компонентов с использованием жертвенного слоя AlInN на примере: микродисков, РБО (DBR) и вертикально излучающих лазеров (VCSEL). (Устный)
• Автор: Алтухов А.В.