|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследование профиля дозы облучения объекта электронным пучком в зависимости от глубиныдоклад на конференции
- Автор: Быстров П.А.
- Всероссийская Конференция : НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2015
- Даты проведения конференции: 16-20 февраля 2015
- Дата доклада: 19 февраля 2015
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Быстров П.А.
- Место проведения: Москва, Russia
- Добавил в систему: Быстров Петр Алексеевич