ИСТИНА

Электронно-акцепторные свойства производных фуллеренов могут быть настроены введением различных аддендов или путем структурной модификации фуллеренового каркаса. Одним из перспективных способов модификации углеродного каркаса является внедрение мостиковой группы CF2. При введении первой дифторметиленовой образуются гомофуллерены, сохраняющие исходную 60π-электронную систему исходного фуллерена и обладающие повышенным сродством к электрону. Среди подобных соединений в нейтральной и ионизированных формах наиболее полно изученными являются [6,6] открытый С60(CF2) и изомеры C70(CF2) [1–3]. В частности, было показано, что избыточная зарядовая плотность в дианионах С60(CF2)2– и C70(CF2)2– локализована на атомах углерода, несущих мостиковую группу CF2 [2, 3]. Этот факт стал ключевой идеей при разработке региоселективного метода синтеза дигидрида C60(CF2)H2 [3]. Продукты присоединения двух и более дифторметиленовых групп к фуллереновому каркасу практически не изучены. Так, среди продуктов полиприсоединения в настоящее время структурно охарактеризован единственный изомер цис-2-C60(CF2)2, дифторметиленовые группы в котором присоединены по [6,6] связям в соседние гексагоны С60. [1] В настоящей работе методом теории функционала плотности проведено теоретическое моделирование распределения зарядовой плотности в дианионе цис-2-С60(СF2)22– и предсказаны теоретически наиболее вероятные продукты его ди- и тетрагидрирования. Гидриды цис-2-C60(CF2)2 были синтезированы в реакции с цинк-медной парой в водно/толуольной среде в инертной атмосфере. Было показано, что гидрирование протекает последовательно с образованием дигидрида С60(CF2)2H2 и тетрагидрида C60(CF2)2H4, которые были выделены хроматографически и охарактеризованы с использованием масс-спектрометрии МАЛДИ и методом спектрофотометрии поглощения. На основании сравнения электронных спектров поглощения с имеющимися в литературе для фуллереновых соединений, близких по структуре к предположенной для С60(CF2)2H2 и C60(CF2)2H4 сделаны выводы о наиболее вероятной структуре этих соединений и, соответственно, о распределении зарядовой плотности в предшествующим им анионам.