|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Асимптотическое разложение решения задачи о волновых функциях носителей в гетероструктурахдоклад на конференции
- Авторы: Орлов А.О., Левашова Н.Т.
- Международная Конференция : Путь в науку
- Даты проведения конференции: 20-29 апреля 2015
- Дата доклада: 23 апреля 2015
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Ярославль, Russia
-
Аннотация доклада:
Кремний и германий позволяют получать на подложках сло- истые структуры, называемые гетероструктурами. В данной ра- боте исследованы гетероструктуры Si/SiGe 2 типа. В таких ге- тероструктурах напряженный слой в центре слоя образует по- тенциальную яму для дырок и барьер для электронов. В работе произведен анализ волновых функций носителей при изменении параметров барьера. Для этого получено разложение решения задачи по степеням малого параметра с использованием теории контрастных структур.
- Добавил в систему: Орлов Андрей Олегович