ИСТИНА

В работе рассмотрена задача отражения гауссова пучка от одномерного фотонного кристалла с экспоненциальным законом изменения периода. Показано существование некоторого диапазона значений параметров, при которых вторая производная фазы комплексного коэффициента отражения имеет наибольшее значение. Продемонстрировано существование нескольких фотонных запрещенных зон с различными профилями фазы комплексного коэффициента отражения, соответствующих различным максимальным расстояниям наилучшей фокусировки. Изучена зависимость величины сдвига Гуса-Хенхен от параметров кристалла. Полученные численным моделированием величины сдвига Гуса-Хенхен превышают наблюдаемые в эксперименте значения для строго периодических фотонных кристаллов в несколько раз.