ИСТИНА

Работа посвящена изучению зависимости величины сдвига Гуса-Хенхен от параметров фотонных кристаллов (ФК) с экспоненциальным законом изменения периода. В работе показано, что при экспоненциальном законе изменения периода кристалла появляются области, в которых фаза ККО может быть аппроксимирована квадратичной функцией. Широкая область «квадратичного» поведения фазы ККО (δθ≈0.5 рад) позволяет наблюдать сдвиг Гуса-Хенхен для сильно сфокусированных оптических пучков (порядка десятка микрометров). При отражении пучков от фотонных кристаллов с экспоненциальным законом изменения периода, происходит значительное увеличение сдвига Гуса-Хенхен по сравнению со строго периодическими структурами (Δ≈-200λ≈-111 мкм для кристалла с экспоненциальным профилем изменения периода, Δ≈λ≈1 мкм для идеального кристалла, Δ≈125λ≈66 мкм за счёт возбуждения поверхностных волн на поверхности кристалла). Произведено численное моделирование отражения гауссова пучка от ФК с экспоненциальным профилем изменения периода для спектрально узких (δθ≈3 мрад, Δ≈-150 мкм) и спектрально широких пучков (δθ≈0,1 рад, Δ≈-111 мкм) и проведено сравнение с теоретическими значениями. Построены зависимости величины сдвига Гуса-Хенхен от параметров экспоненциального профиля фотонного кристалла и угла падения.