|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Влияние эффекта каналирования на профиль распределения внедренных частиц при облучении монокристалла Si (110) ионами Xe+доклад на конференции
- Авторы: Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Шемухин А.А., Кожемяко А.В.
- Всероссийская Конференция : XVI межвузовская научная школа молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине»
- Даты проведения конференции: 24-25 ноября 2015
- Дата доклада: 25 ноября 2015
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович