Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом как локальный сенсор с высоким пространственным разрешением
доклад на конференции
Авторы:
Крупенин В.А.
,
Божьев И.В.
,
Рудаков В.И.
,
Мяконьких А.В.
,
Преснов Д.Е.
Всероссийская Конференция :
Семнадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 23 ноября - 27 ноября 2015 г.
Даты проведения конференции:
23-27 ноября 2015
Дата доклада:
25 ноября 2015
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
Божьев И.В.
не указан
Крупенин В.А.
Божьев И.В.
Рудаков В.И.
Мяконьких А.В.
Преснов Д.Е.
Место проведения:
Санкт-Петербург, Russia
Добавил в систему:
Божьев Иван Вячеславович