ИСТИНА

Графен представляет собой углеродный материал толщиной в один атом. Множество свойств графена, таких как электропроводность, высокая подвижность носителя заряда, оптическая прозрачность, механическая прочность и низкая химическая активность являются многообещающими для различных приложений в электронике, оптике, а также материаловедении. Однако во многих практических приложениях требуется модификация параметров графена. Графен на медной подложке был получен методом химического осаждения из газовой фазы. Модификация слоев была проведена с помощью пучка ионов гелия с энергией 30-100 кэВ при флюенсах от 10^12 ион/см2 до 5*10^16 ион/см2. Эксперименты были проведены при различных температурах подложки. Плотность радиационно-индуцированных дефектов и их средний размер оценивались с помощью комбинационного рассеяния света, методами растровой электронной микроскопии и методами атомно-силовой микроскопии. В работе обсуждается влияние параметров ионного облучения на генерацию дефектов в слое графена и поверхностных слоях меди, а также влияние на эти процессы температуры подложки