|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Generation of THz radiation in the photoconductive antennas based on epitaxial InGaAs films on GaAs substrates of various crystallographic orientationsдоклад на конференции
- Авторы: Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.H., Maltsev P.P., Klochkov A.N., Leontyev A.A., Pushkarev S.S., Klimov E.А.
- Международная Конференция : 18th International Conference on Laser Optics "ICLO 2018" (Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018 г.)
- Даты проведения конференции: 4-8 июня 2018
- Дата доклада: 7 июня 2018
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Kuznetsov K.A.
- Место проведения: г. Санкт-Петербург, Russia
-
Аннотация доклада:
We study the THz wave generation by the time-domain spectroscopy method in the spiral antennas fabricated on the low-temperature grown InGaAs layers on GaAs substrates with crystallographic orientations (100) and (111) It was found that the THz wave generation is 3-4 times more effective in the case of (111)A GaAs substrates as compared to the (100) substrates. Power-voltage characteristic of the InGaAs antenna up to and beyond threshold breakdown voltage is reported.
- Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич