ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
В данной работе представлены результаты моделирования методом молекулярной динамики процессов распыления нанопористых материалов на основе Si ионами Ar с энергией до 200 эВ. В качестве моделей использовались аналоги low-k материалов с различными радиусами пор (0,8–2,8 нм) и степенью пористости (22% и 44%).