![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследовалось влияние высокотемпературного отжига (ВТО) на температурную зависимость проводимости пленок a-Si:H двух типов: однородных, полученных непрерывным осаждением, и слоистых, приготовленных циклическим повторением осаждения слоев a-Si:H c обработкой каждого слоя в водородной плазме. Показано, что для температур отжига, больших 450 С, низкотемпературный ход проводимости пленок описывается формулой Мотта, где параметр n≈1/4 для однородных пленок и n≈1/3 для слоистых пленок, что указывает соответственно на трехмерную и двумерную прыжковую проводимость. Измерения прыжковой проводимости могут быть использованы для определения параметров отожженного материала (плотности локализованных состояний на уровне Ферми и его положения) и для получения информации о механизмах структурной модификации материала под действием высокотемпературного отжига.