![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Обнаружено ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости. Определены размеры области излучения, длительность излучения и длина волны максимума излучения. Найдена возможность управления местом и временем излучения при использовании образцов сложной формы, основанная на использовании эффекта отражения звукового потока от области неоднородности электрического поля. Обсуждаются возможные механизмы возникновенив ИК излучения из акустоэлектрического домена.