![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследована кинетика изменения фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H при образовании метастабильных дефектов в условиях освещения пленки белым светом и их отжиге. Установлено, что в отожженных пленках a-Si:H при освещении образование оборванных связей кремния соответствует мономолекулярному механизму, а в предельно освещенных - бимолекулярному механизму. Обнаружено, что эффективная скорость образования оборванных связей имеет активационную зависимость. Обсуждаются полученные результаты.