|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P).доклад на конференции
- Авторы: Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Курова И.А., Казанский А.Г., Звягин И.П.
- Конференция : Научный семинар “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”
- Даты проведения конференции: 1999
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Russia
-
Аннотация доклада:
Получено, что в легированных пленках a-Si:H под влиянием освещения или закалки (быстрого охлаждения) образуются фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния (ФМС и ТМС), обуславливающие повышение проводимости. Проведены исследования релаксации ФМС и ТМС в одних и тех же пленках a-Si:H(P). Установлено, что релаксация как ФМС, так и ТМС описывается растянутой экспонентой с параметрами по-разному зависящими от температуры. Образование ФМС и ТМС, приводящих к повышению темновой проводимости, может быть связано с активацией пассивированных водородом атомов фосфора.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна