Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах из арсенида галлия.
доклад на конференции
Авторы:
Морозова В.А.
,
Кошелев О.Г.
,
Козлова Ю.П.
,
Гаврин В.Н.
,
Веретенкин Е.П.
Международная Конференция :
Международная конференция по физики полупроводников.
Даты проведения конференции:
14-18 сентября 2009
Дата доклада:
16 сентября 2009
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Морозова В.А.
Кошелев О.Г.
Козлова Ю.П.
Гаврин В.Н.
Веретенкин Е.П.
Место проведения:
Новосибирск, Russia
Добавил в систему:
Кошелев Олег Григорьевич