ИСТИНА

В последние 4 года произошло становление перовскитной фотовольтаики. Эффективность солнечных элементов со светопоглощающим слоем из перовскитов AMX3, где A=CH3NH3+, (NH2)2CH+, Cs+, Rb+; M = Sn, Pb, X = Cl, Br, I в период 2009-2018 г. возросла с 3.8% до 23.25%. Бурный взрыв популярности данного типа элементов связан с возможностью их нанесения методами растворной химии с эффективностями близкими к рекордным полученным на таких материалах как Si, GaAs. Как следует из последних публикаций по данной теме, потенциал известных методов нанесения пленок перовскита почти исчерпан и научное сообщество ведет поиск новых подходов к получению светопоглощающих слоев перовскитных солнечных элементов. Недавно был обнаружен новый метод формирования тонких пленок свинец-галогенидных перовскитов, т.н. РПР – процесс, в котором используется способность MAI (MA = CH3NH3+) и I2 образовывать реакционный полииодидный расплав MAI-xI2 (x = 1÷3) при смешении при комнатной температуре, который взаимодействует с металлическим свинцом с образованием перовскита состава MAPbI3 [1]. Целью настоящей работы является поиск совместимых с РПР - процессом способов получения тонких пленок дырочно-проводящих материалов. В докладе будут представлены различные способы получения гетероструктур MAPbI3/CuI с использованием РПР-процесса, продемонстрировано влияние условий формирования данного интерфейса на свойства транспорта носителей заряда через него. Практическая значимость полученных результатов определяется существенно более высокими, по сравнению с широко используемыми в настоящий момент органическими дырочно-проводящими материалами, характеристиками неорганических материалов. Совместимые с РПР-процессом методы получения гетероструктур MAPbI3/CuI будут способствовать промышленному внедрению технологий по получению перовскитных солнечных элементов на российском рынке.