ИСТИНА

В последние годы синтезирован новый класс оксидов переходных металлов на основе элементов с незаполненной 5d электронной оболочкой. В отличие от традиционных систем с 3d незаполненной оболочкой, в 5d системах электроны 5d оболочки испытывают сильное спин-орбитальное взаимодействие, что приводит к значительному изменению их физических свойств. Указанные системы обладают тетрагональной решеточной структурой и поэтому квантово - механический анализ локальных электронных состояний с учетом эффектов кристаллического поля, кулоновских взаимодействий и сильного спин - орбитального взаимодействия может быть проведен аналитически. В работе дано теоретическое описание локальных электронных и магнитных свойств одного из представителей 5d систем ‒ оксидов иридия. Анализ кулоновского и спин - орбитального взаимодействия проведен в рамках теории сверхобмена с применением модели Хаббарда и более полной электронной pd модели. В работе представлены оригинальные расчеты локальной электронной и магнитной структуры оксида иридия Ва2IrO4. Также представлены результаты анализа локальных электронных состояний. В частности, найдены волновые функции и их энергии для электронных состояний иона Ir4+, помещенного в октаэдрическое окружение из ионов кислорода. Результаты анализа магнитного взаимодействия ионов иридия на ближайших узлах решетки получены на основе обобщенной теории сверхобмена.