ИСТИНА

Mo8Ga41 является одним из немногих представителей интерметаллических сверхпроводников на основе молибдена. Обладая относительно большой температурой сверхпроводящего перехода 9.7 К [1] – 9.8 К [2], данное соединение демонстрирует существенные отклонения в низкотемпературном поведении от классических БКШ-систем [2] и обладает двумя сверхпроводящими щелями [3,4]. Критические поля в пределе T → 0 составляют Hc1(0) = 131 Э и Hc2(0) = 83 кЭ. Рис. 1. Кристаллическая структура Mo8Ga41. В кристаллической решетке Mo8Ga41 можно выделить 2 неэквивалентные позиции молибдена и 9 – галлия. Все атомы молибдена в первой координационной сфере окружены только атомами галлия, формирующими многогранники MoGa10. Последние соединены друг с другом через общие вершины и с кубооктаэдром Ga1Ga12 через общие треугольные грани (рис. 1). Таким образом Ga1 обладает наиболее симметричным локальным окружением без атомов молибдена. Спектр ядерного квадрупольного резонанса (ЯКР) 69,71Ga позволяет различить отдельные узкие линии, относящиеся к неэквивалентным позициям галлия. Соответствующие значения частот находятся в качественном согласии с предсказанными теоретически на основе ab-initio расчетов градиентов электрического поля (ГЭП) и параметров асимметрии, за исключением Ga1. Последний ввиду высокой симметрии окружения должен характеризоваться крайне низким значением резонансной частоты ЯКР, труднодостижимым экспериментально. Спектр ядерного магнитного резонанса (ЯМР) позволяет увидеть узкие линии 69,71Ga, соответствующие малому квадрупольному уширению Ga1 (рис. 2). Также, в отличие от ЯКР, данный метод позволяет по отдельности оценить ГЭП и параметр асимметрии, хотя это бывает затруднительно в случае суперпозиции сигналов от нескольких ядер или позиций. Наконец, варьируя поле при постоянной температуре, возможно отследить наступление сверхпроводящего перехода. Рис. 2. Спектр ЯМР 69,71Ga Mo8Ga41 при 4.2 К на 50 МГц. В результате исследования, с одной стороны, подтверждены предсказания расчетов в рамках теории функционала плотности для атомов галлия в окружении молибдена, с другой, для Ga1 получено гораздо более высокое значение ГЭП. Исследовано поведение образца в окрестности сверхпроводящего перехода.