![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
С помощью методов сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) исследован рост хорошо упорядоченных галогенидных структур меди как результат адсорбции молекул фторированного фуллерена на поверхности Cu(001). Экспериментальные результаты ясно показывают, что молекула C60Fn на поверхности Cu(001) постепенно теряет атомы фтора. Постепенное отделение атомов фтора первоначально приводит к появлению двумерной (2D) газовой фазы на поверхности Cu(001), из которой со временем начинают зарождаться F-индуцированные структуры. Динамика дальнейшего роста F-индуцированных структур напрямую зависит от начального покрытия поверхности Cu(001) молекулами C60Fn. Исследования РФЭС и СТМ показали, что стабильная галогенидная фаза меди (2root{2} ×root{2})-R45 образуется, если молекулы фторфуллерена адсорбированы на поверхности Cu(001) в течение периода времени около ста часов. Показано, что изменение начального покрытия C60Fn позволяет обеспечить управляемую доставку атомов фтора на поверхность.