|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
A NEW WAY OF PREPARATION OF SILICON NANOWIRES BY METAL ASSISTED CHEMICAL ETCHING USING GREEN CHEMISTRY доклад на конференции
- Авторы: GONCHAR K.A., ZUBAIROVA A.A., TIMOSHENKO V.YU, OSMINKINA L.A., SIVAKOV V., GEORGOBIANI V.A.
- Международная Конференция : 10th International Conference "Porous Semiconductors - Science and Technology" PSST 2016
- Даты проведения конференции: 6-11 марта 2016
- Дата доклада: 8 марта 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Таррагона, Испания
-
Аннотация доклада:
In this work, optical properties of Si nanowires formed by metal assisted chemical etching using green chemistry were investigated.
- Добавил в систему: Осминкина Любовь Андреевна