ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
В связи с возрастающей потребностью в прецизионных первичных преобразователях для систем контроля и управления, предоставляющих данные о давлении в газе и жидкости, повышаются требования к параметрическим характеристикам, определяющим погрешности микроэлектромехани-ческой системы (МЭМС). Разработан кристалл датчика давления (ДД), планарная часть которого спроектирована в виде соединений электрической схемы дифференциальный каскад, где чувствительными к механическим напряжениям являются как активные (тензотранзисторы n-p-n – типа), так и пассивные (тензорезисторы p – типа) элементы. Кристалл на основе тензодифференци-ального каскада (кристалл ТДК) благодаря увеличению тензочувствительности способен минимизировать погрешность ДД, уменьшить габаритные размеры и увеличить прочность кремниевой структуры относительно аналогов на кристалле с тензорезистивным мостом Уитстона, основная модель которых является одной из наиболее распространенной с 1960-х годов.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Development_of_pressure_sensors_based_on_bipolar_transistor… | Development_of_pressure_sensors_based_on_bipolar_transistor… | 1,1 МБ | 3 ноября 2019 [BasovMikhail] |