ИСТИНА

Прозрачные проводящие оксиды (TCO) находят все большее применение в современном мире. За счет высокой электропроводности и прозрачности в видимом диапазоне TCO являются важнейшим компонентном в различных оптоэлектронных устройствах, таких как жидкокристаллические дисплеи, солнечные элементы, сенсорные экраны, OLED дисплеи и т.п. Наилучшими показателями по проводимости и прозрачности среди прозрачных электродов обладают материалы в системе In2O3-SnO2 (ITO). Но у ITO имеется и несколько недостатков, один из которых – дороговизна, обусловленная редкостью индия и сложностью методов осаждения. В этой работе рассматривается решение вопроса о методе получения тонких плёнок ITO, которое может существенно снизить затраты на производство, а также повысит воспроизводимость. Сейчас большинство плёнок ITO получают методом напыления конденсацией из газовой фазы (PVD), а также методом химического осаждения из газовой фазы (CVD). Потребность в сложном и дорогостоящем оборудовании серьезно ограничивает возможность использования таких технологий для промышленного применения. В данной работе рассматривается перспективный метод получения наноструктурированных материалов различного типа - золь-гель синтез, основанный на применении в качестве прекурсоров алкоксо-β-дикетонатов металлов. Целью работы являлось получение тонкопленочных наноструктур в системе In2O3-SnO2 на поверхности стеклянных и кварцевых подложек золь- гель методом и изучение их характеристик. Рассмотрено два метода нанесения плёнок: плоттерная печать и погружение подложки в раствор прекурсоров (dip-coating). Приготовленные растворы алкоксоацетилацетонатов индия и олова были изучены с помощью ИК- и УФ-вид-спектрофотометрии, а также рефрактометрии. Полученные с помощью данных растворов плёнки In2O3-SnO2 также исследовались спектральными методами, а их морфология изучена с помощью оптической, растровой электронной и сканирующей зондовой микроскопии; кристаллическая структура материалов исследована методом рентгенофазового анализа. В частности, было показано, что формируемые планарные структуры являются наноструктурированными и обладают низкой шероховатостью.