Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона
доклад на конференции
Авторы:
Кривобок В.С.
,
Литвинов Д.А.
,
Николаев С.Н.
,
Онищенко Е.Е.
, Пашкеев Д.А.,
Чернопицский М.А.
,
Григорьева Л.Н.
Всероссийская с международным участием Конференция (Симпозиум) :
VII Международный Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур. КОИПСС-2019
Даты проведения конференции:
18-20 ноября 2019
Дата доклада:
19 ноября 2019
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
не указан
не указан
Кривобок В.С.
Литвинов Д.А.
Николаев С.Н.
Онищенко Е.Е.
Пашкеев Д.А.
Чернопицский М.А.
Григорьева Л.Н.
Место проведения:
Москва, Russia
Добавил в систему:
Григорьева Людмила Николаевна