|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Analysis of damage creation mechanism in silica-based materials during plasma etchingдоклад на конференции
- Авторы: Sycheva A.A., Voronina E.N.
- Международная Конференция : International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces (MPS2016)
- Даты проведения конференции: 23-26 августа 2016
- Дата доклада: 24 августа 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Sycheva A.A.
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
The aim of the presented work is to determine basic parameters related to material degradation under plasma treatment such as vacancy formation energy, threshold displacement energy, surface binding energy, etc. These parameters will be used in our 3D Monte–Carlo model to simulate changes in nanoporous SiOCH materials caused by ion-stimulated plasma etching.
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна