ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Методами сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света был исследован фемтосекундный лазерный отжиг аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5. Обнаружены появление периодических поверхностных структур, а также фазовые изменения в образцах как результат подобного воздействия.