ИСТИНА

Органическая электроника – интенсивно развивающаяся область знаний на стыке физики, химии и материаловедения – во многом основана на органических полевых транзисторах, которые служат для управления током с помощью напряжения на затворе. Кроме того, органические полевые транзисторы могут выступать как излучатели света (светоизлучающие транзисторы) либо как приёмники света (фототранзисторы). Эффективные свето- и фототранзисторы должны быть амбиполярными, то есть проводить как электроны, так и дырки, так как для генерации фотонов необходимо наличие обоих типов носителей заряда, а при поглощении фотонов в активном слое образуются экситоны (связанные пары электронов и дырок), которые разделяются на свободные носители заряда под действием электрического поля (Рис. 1а). Известно, что в амбиполярных транзисторах может существовать небольшая область размером 15-200 нм по оси х [1], в которой происходит рекомбинация электронов и дырок и в которой имеется максимум напряжённости электрического поля (Рис. 1в). В настоящей работе с помощью простой одномерной численной дрейф-диффузинной модели органического полевого транзистора показано, что положение пика напряженности электрического поля Ех зависит от напряжения на затворе VG (Рис. 1б,в), а данная область пика Ex является фоточувствительной областью транзистора, т.к. высокое Ех способствует эффективному разделению зарядов, генерируемых под действием падающего оптического или УФ излучения. Также с помощью численного моделирования показана возможность воспроизвести с довольно хорошей точностью форму распределения интенсивности падающего излучения вдоль канала транзистора, измерив зависимость фототока Jф от VG, и пересчитав шкалу VG в шкалу x с помощью зависимости xm от VG (Рис. 1б). Исследование поддержано грантом РНФ №17-79-00341.