ИСТИНА

В наше время прозрачные проводящие материалы – это основа большей части электроники. Благодаря прозрачным электродам стало возможным получение жидкокристаллических экранов (LCD), светодиодов (LED), солнечных батарей, сенсорных экранов и прочих устройств. На данный момент среди прозрачных электродов имеется пять приоритетных направлений – это оксидные материалы (TCO - Transparent Conductive Oxides), углеродные нанотрубки (CNT), графен, органические электроды (среди которых особое внимание уделяется PEDOT:PSS), а также металлические нанопроволоки. Прозрачные проводящие оксиды же в данном контексте являются наиболее популярными материалами за счет своей относительной дешевизны, большого разнообразия химических составов и малого удельного сопротивления. При этом, как известно, жидкофазные методы синтеза являются наиболее универсальными и эффективными при получении как оксидных нанопорошков и тонких плёнок, так и функциональных керамических материалов. Таким образом, целью данной работы было изучение процесса синтеза наноразмерных оксидов в системе ZnO–Al2O3 методом программируемого соосаждения. В качестве прекурсоров в работе применялись ацетаты цинка и алюминия в различных соотношениях, к водным растворам которых в программируемом режиме с определённой скоростью добавлялся раствор гидроксида натрия до достижения необходимого значения pH. Выделившиеся осадки отделялись от маточных растворов и промывались дистиллированной водой путём циклического центрифугирования, после чего они подвергались сушке при 100°С. Термическое поведение полученных порошков изучалось с помощью синхронного (ТГА/ДСК) термического анализа, результаты которого позволили определить оптимальные условия термообработки для полного разложения гидроксидов и формирования оксидов в системе ZnO–Al2O3. Фазовый и элементный состав продуктов определялся с применением рентгенофазового и энергодисперсионного элементного анализа, соответственно. Микроструктура нанопорошков контролировалась методами растровой электронной и сканирующей зондовой микроскопии.