ИСТИНА

Рассмотрена перспективная модификация метода Бриджмена в виде процесса кассетной кристаллизации для выращивания пластин термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута. С помощью математического моделирования установлены закономерности формирования температурного поля в ростовой кассете в зависимости от темпов её охлаждения. Показано, что конструктивные особенности кассеты существенно влияют на скорость её охлаждения и форму фронта кристаллизации. Для выращенных поликристаллических пластин проведен рентгено-дифрактометрический контроль однородности состава по длине и сечению образцов. Дана рентгеноструктурная оценка формы фронта кристаллизации. Измерение термоэлектрических свойств образцов проведено методом Хармана.