|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Mechanisms of improvement of the silicon layer crystal structureдоклад на конференции
- Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Балакшин Ю.В.
- Международная Конференция : 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS 25)
- Даты проведения конференции: 2012
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: Шемухин А.А.
- Место проведения: Kyoto, Japan, Japan
-
Аннотация доклада:
Experimental study of an influence of the ion implantation parameters (energy and fluence, as well as, temperature of implanted structure) on characteristics of the active Si layer will be presented in this report.
- Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович