ИСТИНА

В настоящей работе получены для роста «леса» УНТ подложки составов Si, SiO2/Si, Fe/Si, Fe-Al2O3/Si. Пленки SiO2 получали при окислительной обработке Si в токе O2 при 850-950 оС. Толщина слоя SiO2 составила 130-140 нм, что определено методом эллипсометрии. Пленки Fe наносили импульсным лазерным осаждением (ИПЛИТ РАН, г. Шатура); толщина слоя Fe ~9 нм. Часть подложек была получена при погружении Si или SiO2/Si пластин в коллоидные растворы, содержащие ионы Fe и Al [2]. Качество пленок контролировали методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ), атомно-силовой микроскопией (АСМ), а состав подтверждали методами EDX и ИК-спектроскопией. Синтез «леса» осуществляли пиролитическим разложением C2H4 при 750-850 оС в трехзонной печи в присутствии подложек Fe/Si, Fe-Al2O3/Si. Для этого пленки Fe предварительно быстро (10-15 мин) нагревали до 350 oC в токе N2 и восстанавливали смесью H2/Ar при 750-850 оС. В зависимости от однородности Fe пленок, режима восстановления и рабочих температур получены ориентированные массивы УНТ или смеси разупорядоченных УНТ и аморфного углерода. 1б).