ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Впервые, для развития возможностей метода горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) по расширению химических классов выращиваемых кристаллов создана высокотемпературная установка синтеза галоидных соединений. Основным элементом установки является графитовый тепловой узел, разработанный для выращивания фторсодержащих монокристаллов впервые, методом ГНК. Настоящая работа посвящена дальнейшему развитию метода ГНК по синтезу монокристаллов фторидов в графитовом тепловом узле.