ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Настоящие исследования посвящены рассмотрению способа выращивания монокристалла CaF2 путем инерционного естественного охлаждения расплава при избыточном давлении аргона в теплосберегающем тепловом узле кристаллизационной установки роста по методу ГНК. В теплосберегающем графитовом узле ростовой установки горизонтальной направленной кристаллизации из сильно перегретого расплава в неподвижном тигле путем инерционного охлаждения печи получен монокристалл флюорита размером 20х25х150 мм хорошего оптического качества. В качестве тигельного материала использовался высокоплотный графит марки Ringsdorff R6650 (SGL Group, Германия). Плавление шихты осуществлялось в атмосфере аргона при избыточном давлении 1300 гПа.