ИСТИНА

Кремний является самым распространённым элементом для изготовления интегральных схем на протяжении многих лет. На его основе создаются различные комплементарные структуры с целью повышения производительности микроэлектронных устройств. Одним из направлений совершенствования данной технологии является исследование гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов SiGe. В работе было исследовано влияние термического отжига на интерфейсы структуры, состоящей из четырёх пар слоёв Si/SixGe1-x 100 нм каждый. Экспериментальные кривые рентгеновской рефлектометрии для этих образцов представлены на рисунке. Для образцов до и после отжига кривые XRR существенно отличаются, что свидетельствует о значительной структурной перестройке и хорошей чувствительности метода.