ИСТИНА

В настоящее время для изоляции медных проводящих элементов современных интегральных схем активно применяются нанопористые low-k диэлектрики на основе аморфных SiOx матриц, поверхность которых покрыта CH3-группами. Одним из способов предотвращения диффузии атомов меди вглубь диэлектрика является нанесение ультратонких барьерных слоев из тугоплавких металлов на поверхность low-k пленки, с которой предварительно удалены CH3-группы. В данной работе с использованием метода теории функционала плотности показано, что подобную обработку low-k диэлектриков можно осуществлять ионами инертных газов низкой (до 30 эВ) энергии. Исследованы особенности механизма удаления CH3-групп нейтральными атомами и положительными ионами He, Ne, Ar, Xe; на основании полученных расчетных данных сделана оценка пороговой энергии исследуемого процесса.