|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Free carriers’ dynamics in the bulk of silicon under mid-IR femtosecond laser excitationдоклад на конференции
- Авторы: Lvov K.V., Mareev E.I., Stremoukhov S.Yu, Potemkin F.V.
- Международная Конференция : 20th International Conference Laser Optics (ICLO 2022)
- Даты проведения конференции: 20-24 июня 2022
- Дата доклада: 22 июня 2022
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Lvov K.V.
- Место проведения: г. Санкт-Петербург, Russia
-
Аннотация доклада:
Results of numerical simulation of free carriers’ dynamics under femtosecond laser excitation in the mid-IR range (4.6 μm) in the bulk of silicon are presented. The electrons heating up to 8 eV as well as the promotion of supercritical carrier concentration (8.5·10^21 cm^-3) is demonstrated. These are critical to achieve the energy threshold (4.2 kJ/cm^3) for melting silicon crystal lattice.
- Добавил в систему: Стремоухов Сергей Юрьевич