ИСТИНА

В настоящее время существует множество способов генерации и детектирования терагерцового излучения, одним из которых является применение фотопроводящих антенн (ФПА) на основе таких полупроводников, как InGaAS, GaAs, InGe и различных гетероструктур (InGaAs/InAlAs, GaAs/InGaAs)[1,2]. Принцип действия ФПА основан на возникновении импульсного терагерцового поля при облучении полупроводниковой пленки короткими (порядка 100 фемтосекунд) лазерными импульсами с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны и действии ускоряющего электромагнитного поля, полученного в результате приложения к электродам постоянного напряжения смещения. В качестве новых материалов для генераторов и детекторов терагерцового излучения рассматриваются топологические изоляторы (ТИ).