ИСТИНА

Обзор исследований и разработок светодиодов ближнего и дальнего ультрафиолетового (УФ) диапазонов на основе твердых растворов нитридов алюминия, индия и галлия (AlN, InN, GaN) и гетероструктур с множественными квантовыми ямами типа AlN/AlGaN/AlInGaN/ InGaN/GaN. Рассмотрены физические принципы создания таких светодиодов, технологические проблемы эпитаксиального выращивания гетероструктур для УФ диапазона, проблемы разработок эффективных УФ светодиодов на их основе для различных применений. Спектральный диапазон УФ СД на основе гетероструктур (ГС) AlInGaN лежит в пределах длин волн λ = 210 – 400 нм, а их внешний квантовый выход излучения вблизи λ = 250 – 280 нм достигает ηe = 0.13 – 2.78 %. Мощность и внешний квантовый выход УФ СД падают при уменьшении λ. Для многих важных практических применений необходимо увеличивать мощность и эффективность УФ СД. Увеличение эффективности может быть достигнуто путем дальнейшей оптимизации этих устройств: сокращением плотности дефектов и улучшением легирования слоев AlGaN с высоким содержанием Al. Необходимо использование подложек из AlN, нужен поиск новых подложек. Важной проблемой является вывод света, для решения которой необходим поиск материалов, прозрачных вплоть до 200 нм и совместимых со структурами для светодиодов.