ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Методом численного моделирования произведено сравнение характеристик изображений, создаваемых различными фотошаблонами. Предложена методика оценки критических размеров элементов изображения. Изучены зависимости критических размеров от численной апертуры и параметра когерентности для круглого источника освещения и различных типов используемых масок. Получены зависимости оптического контраста от приведенных размеров изображения бинарных и фазовых масок.