![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Рассматривается комплекс вопросов, связанных с оптимизацией процесса выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского и процесса быстрой высокотемпературной обработки (БТО) вырезаемых пластин из этих монокристаллов. Для оптимизации температурного поля в выращиваемом монокристалле в тепловом узле монтируются специальные конструкции теплового экрана. Тепловая оптимизация конструкции такого теплового узла осуществляется на основе интегрированной тепловой математической модели. Дефектообразование рассчитывается на основе диффузионно-рекомбинационного приближения для вакансий и межузельных атомов кремния. Для процесса БТО рассчитываются профили концентрации вакансий, плотности и размер вакансионных кластеров по толщине пластины.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Полный текст | icm3sec2023_program.pdf | 104,7 КБ | 27 октября 2023 [naverezub] | |
2. | Презентация | Prostomolotov-MMMEK-2023.pptx | 6,3 МБ | 27 октября 2023 [naverezub] |