|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Профиль распределения внедренной примеси при облучении монокристалла кремния ионами железадоклад на конференции
- Авторы: Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Шемухин А.А., Кожемяко А.В.
- Международная Конференция : 47-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами"
- Даты проведения конференции: 30 мая - 1 июня 2017
- Дата доклада: 1 июня 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Проведены эксперименты по имплантации ионов Fe+ с энергиями 90 и 250 кэВ ми дозой 10^16 ион/см2 в монокристалл кремния с ориентацией (110). Профили распределения внедренной примеси изучались методом обратного резерфордовского рассеяния в сочетании с каналированием. Проведено сравнение профилей дефектов с результатами моделирования в программе TRIM. Показано, что при энергии 90 кэВ значение максимума распределения внедренной примеси, рассчитанное с помощью программы, превышает экспериментальные данные на 30%. С увеличением энергии разница уменьшается
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович