ИСТИНА

Планарные SnS-контакты создавались при 4.2 К с помощью техники «break-junction». Данный метод позволяет локально и напрямую определять величины и температурные зависимости объемных СП параметров порядка. Проведены исследования более 100 SnS-контактов в монокристаллах LiFeAs, полученных из одной закладки. В нормальном состоянии вплоть до Т = 80–100 К транспортные характеристики I(V) и dI(V)/dV получаемых контактов воспроизводимо демонстрировали сильную нелинейность, вызванную объемными свойствами и не связанную со сверхпроводимостью. Данная нелинейность может быть следствием пика плотности электронных состояний вблизи уровня Ферми в LiFeAs.