![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследована возможность возникновения разрывной неустойчивости в новом классе сверхтонких токовых слоев (СТС) на размагниченных электронах. В работе была использована равновесная модель СТС [1], которая учитывает потоки двух групп электронов: размагниченных и замагниченных (с анизотропным тензором давления). С помощью линейной теории возмущений были найдены волновые числа и скорости роста разрывной моды для различных параметров равновесной модели СТС, таких как доля размагниченных электронов, зависящая от нормальной компоненты магнитного поля; соотношение электронной тепловой скорости к потоковой; коэффициент анизотропии давления замагниченных электронов. Было показано, что увеличение этих параметров приводит к накоплению свободной энергии СТС за счет утоньшения СТС и к подавлению эффекта электронной сжимаемости за счет уменьшения доли замагниченных электронов. Размагниченные электроны в СТС могут способствовать развитию быстрой разрывной моды на коротких длинах волн. При этом скорость роста электронной разрывной неустойчивости достаточно велика, чтобы дестабилизировать СТС на временных масштабах в несколько секунд. Ионная разрывная мода растет медленнее и может дестабилизировать ТС только за десятки секунд. Наблюдения MMS подтвердили, что быстрый рост мелкомасштабных магнитных возмущений приводит к прерывистому характеру динамики токового слоя, то есть к образованию магнитных островов или плазмоидов. При этом быстрая разрывная мода сопровождается сильными индуктивными электрическими полями. Работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 23-12-00031. 1. Tsareva O.O., Leonenko M.V., Grigorenko E.E., et. al. // JGR 2023. V. 128, P. e2023JA031459.