ИСТИНА

Эффективность разработок перспективных наноструктурированных материалов, наряду с развитием методов их синтеза, в значительной мере определяется набором методов диагностики свойств наноструктур. Для этих целей в НИИЯФ МГУ создан комплекс позволяющий создавать, модифицировать и исследовать различных материалы с помощью ионно-пучковых технологий. Создание структур происходит исследовательском комплекс HVEE-500, созданного на базе ускорителя с энергиями ионов до 500 кэВ (www.ionlab.ru). Комплекс оснащен тремя исследовательскими линиями: ионной имплантации, методик обратного рассеяния и методики спектрометрии рассеяния ионов средних энергий (СРИСЭ): Линия ионной имплантации позволяет проводить имплантацию ионов от 1 до 250 атомной единицы массы в мишени с размерами до 150х150мм с однородностью дозы по этой площади не хуже 99%. Камера ионной имплантации оборудована системой, позволяющей проводить имплантацию при температурах мишени в диапазоне от -196С (температуры жидкого азота) до 800С. Линия анализа приповерхностных слоев материалов и наноразмерных объектов с применением методики спектрометрии рассеяния ионов средних энергий (СРИСЭ) позволяет проводить исследования с разрешением по глубине один - два атомных монослоя (порядка 6А). В настоящее время ведутся работы по вводу в эксплуатацию новой исследовательской линии для проведения экспериментов по распылению покрытий в сверхвысоком вакууме. Исследование структур происходит с помощью экспериментального комплекса на базе ускорителя типа Ван-де-Граафа HVEE AN-2500. Данный ускоритель позволяет проводить исследования используя ионы водорода или гелия в диапазоне энергий 0,8-2,0 МэВ. В комплексе реализованы следующие ионно-пучковые методики анализа: резерфордовское обратное рассеяние (РОР), спектрометрия ядер отдачи (СЯО) и метод ионно-индуцированного характеристического излучения. Используя данные методы анализа можно определять элементный состава модифицированных твердых тел вплоть до изотопов, изучать профили распределения по глубине примесных или имплантированных атомов, определять состав и толщину слоев в многослойных покрытиях, а также изучать процессы взаимодиффузии в этих слоях. В работе показаны достоинтсва каждой из методик на примере формирования и исследования ультратонких многослойных наносистем и наноразмерных объектов с помощью ионно-пучковых технологий.