|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследование явления тензоэффекта на биполярном транзисторе. Построение чувствительного элемента на базе составного транзистора в дифференциальной схемедоклад на конференции
- Автор: Басов Михаил Викторович
- Локальная Конференция : Научно-техническая конференция молодых ученых "ВНИИА-2014"
- Даты проведения конференции: 7-25 апреля 2014
- Дата доклада: 11 апреля 2014
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: ФГУП ВНИИА им. Духова, Russia
-
Аннотация доклада:
Работа посвящена исследованию физических свойств тензоэффекта в биполярном транзисторе (БТ), использующегося в качестве сенсора тензодатчика. Основываясь на теоретических законах, связанных с зависимостью электрического сигнала под действием давления на датчик мембранного типа, проводилось оценочное моделирование активного элемента.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Результаты экспериментов | Diploma_for_first_place_in_the_microelectronics_section.JPG | 1,2 МБ | 24 сентября 2017 [BasovMikhail] | |
| 2. | Полный текст | Study_of_the_strain_effect_on_a_bipolar_transistor._Constru… | 307,3 КБ | 24 сентября 2017 [BasovMikhail] |