Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Электроотражение от множественных квантовых ям InGaN, помещенных в неоднородное электрическое поле pn перехода
доклад на конференции
Авторы:
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Положенцев К.Ю.
Конференция :
15-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
Даты проведения конференции:
2013
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Асланян А.Э.
Боков П.Ю.
Положенцев К.Ю.
Место проведения:
Санкт-Петербург, Россия, 25-29 ноября 2013 года, Russia
Добавил в систему:
Боков Павел Юрьевич