ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
В настоящей работе представлены результаты экспериментальных исследований по- левых транзисторов с каналом нанопроводом из КНИ с толщиной верхнего кремниевого слоя 110 нм, изготовленных традиционными для полупроводниковой электроники метода- ми электронной литографии и реактивно-ионного травления.